ظهرت في نهاية يونيو/حزيران الماضي تكنولوجيا ثورية تدعى ” Intel 3D XPoint ” من شأنها زيادة إنتاجية الذاكرة بمقدار ألف مرة.
وأفادت شركتا “أنتيل” و”ميكرون” المتعاونتان في مجال تطوير أجهزة التخزين الالكترونية (المخزنات) الفعالة، أفادتا في المنتدى بأنهما اختتمتا تصميم صنف جديد من الذاكرة ” Intel 3D XPoint “. وتصف الشركتان هذا الابتكار بأنه أول اختراق جدي منذ عام 1989 حين ظهرت ذاكرة ” NAND “.
وتسمح التكنولوجيا المتقدمة الواعدة الجديدة بجعل أجهزة التخزين الالكترونية أسرع بمقدار ألف مرة، حيث تعد وحدة قياس السرعة ليس بالمايكرو/ ثواني، بل بالنانو/ ثواني.
وجاء في بيان صادر عن منتدى “Intel Developer Forum ” أن الصنف الجديد من الذاكرة يجمع بين إنجازات تكنولوجيتي” NAND” و” DRAM “، بما فيها السرعة والطاقة المستقلة وتوزع خلايا الذاكرة ، الأمر الذي يجعل سعر ” Intel 3D XPoint ” رخيصا نسبيا.
وشهد المنتدى اختبارا للذاكرة الجديدة بالمقارنة مع أسرع الذاكرات الاستهلاكية ” SSD – Intel P3700 ” حيث ظهر فارق بمقدار 5 – 7 أضعاف في تنفيذ عمليات بسيطة. أما في حال التعامل مع المعطيات السحابية الكبيرة فيظهر هناك فارق بمقدار 1000 مرة.
ويتوقع أن تصدر شركة ” Intel” منتوجاتها الأولى القائمة على تكنولوجيا ” Intel 3D XPoint ” .